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pnトンネルダイオードのための共ドープ超薄膜SOI 絶縁体層の解析

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月29日

静岡大、増井 駿

トンネルFET

基本情報

 シリコン(Si)のMOSFETは微細化の限界に直面しており、バンド間トンネリング(BTBT)を利用したトンネル電界効果トランジスタ(TFETs)が改善策として提案されている。低温下でのBTBTによる負性微分伝導(NDC)ピークが観測され、これはドーパント状態を介したBTBTによるものと考えられる。しかしナノワイヤーpnダイオードの収率は低く、これは共ドープ領域の高い抵抗に関連しているとされる。共ドープ領域の不純物濃度はPドナーが深い範囲で高濃度でドープされ、Bアクセプターは表面近くでドープされていることが示された。この結果はナノスケールSOIダイオードでトンネルダイオード特性を達成するためにはドーピングを最適化する必要があることを示唆している。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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