抵抗の製品一覧
HVPE 基板およびOVPE 基板上GaN エピ層の特性評価
グローバルネット株式会社
名工大、古橋 優
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高濃度n 型GaN スパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性
グローバルネット株式会社
名大、田中 希帆
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ミリ波GaN IMPATT ダイオード作製に向けた光化学(PEC)エッチングプロセスの開発
グローバルネット株式会社
名大、豊田 拓輝
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
グローバルネット株式会社
名工大、久保 俊晴
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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社
International College of Semiconductor Technology
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マイクロ波無線電力伝送応用に向けた高周波Ga2O3 ショットキーバリアダイオードの構造設計
グローバルネット株式会社
大阪公大、江口 輝生
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SPICE シミュレーションを用いた縦型GaN MOSFET の損失解析と性能予測
グローバルネット株式会社
名大、岡 徹
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ワイドギャップ半導体SBD の高周波整流特性
グローバルネット株式会社
大阪公大、大野 泰夫
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ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたMOSFET のシート抵抗の面内均一化
グローバルネット株式会社
ミニマルファブ推進機構、中道 修平
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1.36 A, 1 kV 耐圧 β-Ga2O3 double-implanted MOS トランジスタ
グローバルネット株式会社
ノベルクリスタルテクノロジー、宮本 広信
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