半導体用語集
不純物導入
英語表記：impurity doping
純粋な多結晶シリコン薄膜の比抵抗は高く、電極としての用途には不純物を高濃度にドーピングする必要がある。CVD製膜時にアルシン、フォスフィン、ジボランなどのガスを混入させて抵抗値の制御を行うが、V族原料であるアルシン、フォスフィンを導入すると成膜速度が低下し、ステップカバレッジが劣化する。一方、Ⅲ族原料であるジボランの場合には成膜速度が上昇しカバレッジが改善される。
これは、これらの不純物ガスによるモノシラン表面反応の阻害・促進効果によるものと考えれば理解可能である。
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