半導体用語集
化合物半導体のプロセス技術
英語表記：Process technology of compound semiconductors
半導体材料は種々に分類されるが，ここでは結晶半導体を中心に取り扱う。結晶半導体は元素半導体と化合物半導体に分類される。元素半導体はⅣ族の単一元素で構成され，現在最も広く用いられているシリコンがこれに当たる。化合物半導体は複数元素で構成され，SiCのようなⅣ-Ⅳ族化合物，GaAsやGaInPAsのようなⅢ-Ⅴ族化合物，ZnSeやHgCdTeのようなⅡ-Ⅵ族化合物などがあげられる。多元系化合物半導体では構成元素の組み合わせや組成を種々に選べるので，格子定数とエネルギー禁制帯幅を連続して変えることができ，良質のヘテロ接合（異種半導体接合）構造を作成できる特徴を持つ。
半導体素子は結晶成長から始まって最終素子まで，多数の工程を経て作成される。これらの各工程はプロセスと呼ばれる。代表的には，回路・システムの設計，マスク作成，結晶成長，鏡面ウェハの作成，エピタキシャル成長，酸化，フォトリソグラフィ，拡散やイオン注入などによる不純物導入，各種CVDなどによる薄膜形成，蒸着などによるメタライズ，ウェハ検査などのプロセスを経てウェハの加工が終了する。次にウェハは個別のチップに切断され，各チップはセラミックやプラスチックのパッケージに組み込まれる。最後に検査工程を経て製品に仕上げられる。
上記の多数の工程のうち，ウェハ状態で行われる加工工程を総称してウェハプロセスという。
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