自治体・省庁・研究機関・団体の製品一覧
表面電位測定による多結晶Ge 薄膜の粒界特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大、前田 真太郎
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低コスト化と高放熱性に向けたGaN on-diamond HEMTs 構造の作製
グローバルネット株式会社
大阪公立大、富山 葉月
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ミリ波GaN IMPATT ダイオード作製に向けた光化学(PEC)エッチングプロセスの開発
グローバルネット株式会社
名大、豊田 拓輝
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印刷とパルスレーザーアニールによるSi 基板上へのSiGe 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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高温熱処理がn-GaN ショットキーバリアダイオードの電流-電圧特性に与える影響
グローバルネット株式会社
ビッグネーム、パワフルなクマ
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GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
グローバルネット株式会社
東京理科大、河野 亮介
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN 中の格子間窒素が形成する2 つの準位の特定
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
グローバルネット株式会社
名工大、久保 俊晴
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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社
国際半導体技術大学
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マイクロ波無線電力伝送応用に向けた高周波Ga2O3 ショットキーバリアダイオードの構造設計
グローバルネット株式会社
大阪公大、江口 輝生
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ダイヤモンドMOSFET の高電圧(105V) スイッチング動作
グローバルネット株式会社
佐賀大、白土 智基
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SPICE シミュレーションを用いた縦型GaN MOSFET の損失解析と性能予測
グローバルネット株式会社
名大、岡 徹
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KrF エキシマレーザーによるβ-Ga2O3 へのSn ドーピング
グローバルネット株式会社
九大、別府 美彩
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GaSb/AlGaSb 多重量子井戸における差周波混合によるテラヘルツ電磁波発生
グローバルネット株式会社
千葉工業大学 小島
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CMOSイメージセンサにおける3D積層技術の現状と展望
グローバルネット株式会社
ソニー、岩元 勇人
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ワイドギャップ半導体SBD の高周波整流特性
グローバルネット株式会社
大阪公大、大野 泰夫
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FinFET のクーロンブロッケイド領域におけるノイズ測定
グローバルネット株式会社
帝京大、棚本 哲史
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放熱が容易なLED 光反射型ダイスター
グローバルネット株式会社
京大、岡本賢一郎(本研究に関する連絡先：岡本研正)
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2nm時代を前にした半導体パッケージ技術
グローバルネット株式会社
ラピダス、野中俊夫
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小型Si フォトニクス光トランシーバチップの実装技術
グローバルネット株式会社
アイオーコア、竹村 浩一
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次世代車載用パワー半導体応用戦略
グローバルネット株式会社
直樹、山本正義
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マイクロプロセッサ，パワーエレクトロニクスにおける熱設計・熱制御
グローバルネット株式会社
足利太田、西合成
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シリコンマイグレーションシール（SMS)ウェハレベル高真空封止技術
グローバルネット株式会社
東北大、鈴木 裕輝夫
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極薄圧電MEMS 素子による双方向リモート触覚伝達AI システムの開発
グローバルネット株式会社
産総研、竹井 裕介
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AI・IoT 時代に向けた 3D ・チップレット集積技術の開発
グローバルネット株式会社
アルバック、森川 泰宏
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