半導体用語集
研磨・クリーニング
英語表記：lapping, polishing and cleaning
多くの半導体素子は，鏡面ウェハと呼ばれる薄い板状の単結晶を用いて作成される。一方，引き上げ法などの結晶成長でえられる半導体単結晶は円柱状の塊であり，素子作成工程の前におおむね次のような工程を経て鏡面ウェハに加工される。
結晶成長に続いて，半導体単結晶の端面を外周刃式，内周刃式，あるいは，バンドソー式の切断機を用いて，ブロックに切り出す。円柱状のブロックは外周研削と呼ばれる工程で，その側面を研削し，直径が一定となるようにブロックの外形が整えられる。次に結晶方位の指定のために円柱側面の一部を平坦に研削してオリエンテーションフラット加工が施され，続いて円柱ブロックを輪切りにスライスして薄いウェハがえられる。なお大口径ウェハでは他の方位指定方法が行われる場合がある。次にウェハを鏡面に仕上げるために，ラッピング加工，面取り加工，エッチング，および鏡面研磨が行われる。研磨により作成した鏡面ウェハ表面には多数の汚染物質があるため，最後にウェハ洗浄が施されて，加工歪がなく清浄な鏡面ウェハに仕上げられる。
関連製品
「研磨・クリーニング」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「研磨・クリーニング」に関連する用語が存在しません。
「研磨・クリーニング」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
