自治体・省庁・研究機関・団体の製品一覧
ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたMOSFET のシート抵抗の面内均一化
グローバルネット株式会社
ミニマルファブ推進機構、中道 修平
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1.36 A, 1 kV 耐圧 β-Ga2O3 double-implanted MOS トランジスタ
グローバルネット株式会社
ノベルクリスタルテクノロジー、宮本 広信
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β-(Al0.17Ga0.83)2O3 電界効果トランジスタ(MESFET)の電気的特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大学 森田 亮
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スパッタ法によるAlN ナノロッドの作製及び圧電特性の向上
グローバルネット株式会社
東京理科大学 宋俊東
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コンタクトレスPEC エッチングを用いたGaN ナノワイヤ作製におけるマスク材料の検討
グローバルネット株式会社
北大、古内 久大
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Ti/Au 積層電気金めっき錘の反り変形の熱処理温度依存性評価
グローバルネット株式会社
東工大、森 達彦
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高集積3 次元積層シリコン量子ビットにおける量子ドットの個別制御
グローバルネット株式会社
東大、二木 大輝
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先端半導体パッケージに向けたダイレクト露光技術の拡張と革新
グローバルネット株式会社
オーク製作所、矢島 英樹
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ミニマルメタルエッチングプロセスの開発と特性評価
グローバルネット株式会社
産総研、田中 宏幸
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Ga2O3 (010) FinFETs with On-Axis (100) Gate Sidewalls
グローバルネット株式会社
Qingtongyan、Zhenwei Wang
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単一ペロブスカイト量子ドットの電気伝導特性
グローバルネット株式会社
東北工大、高橋 央輔
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Effect of Substrate Voltage on Band-to-Band Tunneling of Nanowire Esaki Diodes
グローバルネット株式会社
静岡大、B. Arif Rianto
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機能的な共ドープSi ナノトランジスタにおけるSOI 薄膜の解析
グローバルネット株式会社
静岡大、浅井 玲音
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pnトンネルダイオードのための共ドープ超薄膜SOI 絶縁体層の解析
グローバルネット株式会社
静岡大、増井 駿
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MgとNの連続イオン注入GaNにおけるMg拡散抑制のメカニズム
グローバルネット株式会社
名大、狩野 絵美
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Mg イオン注入p-GaN におけるN イオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
グローバルネット株式会社
名大、角田 健輔
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光励起キャリア電場遮蔽現象に基づく電場変調テラヘルツ波計測
グローバルネット株式会社
大阪工大、長谷川 尊之
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Mg チャネリングイオン注入および超高圧アニールを用いて作製した縦型GaN JBS ダイオード
グローバルネット株式会社
名大、北川 和輝
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エッジデバイス向けオンデバイス学習AI アクセラレータとCPU コアの開発
グローバルネット株式会社
ローム株式会社、西山 高浩
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IoE(Internet of Everything)を目指した、光駆動マイクロエッジによる非エレクトロニクス物の情報化
グローバルネット株式会社
東工大、德田 崇
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