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光励起キャリア電場遮蔽現象に基づく電場変調テラヘルツ波計測

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月29日

大阪工大、長谷川 尊之

テラヘルツ波

基本情報

 超短光パルスを半導体結晶表面に照射すると、テラヘルツ波が放射され、これを利用して結晶表面の電子・格子ダイナミクスを研究できる。本研究では結晶内部の電場がテラヘルツ波の放射に影響を与えることに着目し、光励起キャリアによる電場遮蔽を利用した新しいテラヘルツ波計測法を開発した。n型GaAs上に非ドープGaAs層を成長させた試料を用い、Ti:sapphireレーザーで光パルスを制御し、光チョッパで強度変調した光パルスに同期してテラヘルツ波を検出した。この方法により、表面電場強度が変調され、それがテラヘルツ波の振幅に反映されることを確認した。この技術はテラヘルツ波の電場依存性を高感度で観測するための有効な手段となる。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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