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高集積3 次元積層シリコン量子ビットにおける量子ドットの個別制御

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月29日

東大、二木 大輝

量子ドット

基本情報

 シリコン量子ビットはCMOS技術と互換性があり、量子コンピュータへの応用が期待されている。量子コンピュータの実用化には量子ビット数の増加が必要ですが、現在の研究は主に1、2次元配列に限られている。我々は、量子ビットを垂直方向に積層する新しい構造を提案しましたが、複数量子ドットの個別操作による大規模集積には課題がある。VCGL(左側CG 電圧)の値によって量子ドットのポテンシャルバリアが変化し、VCG(Common Gate電圧)とVGTG(Global Top Gate)の制御により各層の量子ドットを個別に操作できることがわかった。この技術は、量子ビットの高集積化に向けた重要なステップである。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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