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Ga2O3 (010) FinFETs with On-Axis (100) Gate Sidewalls

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月29日

情通研、Zhenwei Wang

Ga2O3

基本情報

 本研究では二重ゲーティングによる強力な静電制御を備えた垂直Ga2O3FinFETが、高電力電子アプリケーションにおいて大きな可能性を示しており、従来のGa2O3(001)基板上のFinFETは、単斜晶構造のために14度オフアクシスのゲート側壁を持ち、デバイスの性能に不利な影響を及ぼすダングリングボンドとインターフェース状態が生じていた。しかし、Ga2O3(010)基板上で製造されたオンアクシス(100)ゲート側壁を持つFinFETは、これらの問題を解決し、さらに優れた性能を発揮することが示された。具体的には、特定のオン抵抗(Ron)は6.9 mΩcm2、サブスレッショルドスロープ(SS)は82 mV/decade、オン/オフ比は約109と非常に優れた数値を記録した。Vthは+2 Vで、初回スイープ後に1.7 VのVthシフトが観察されたものの、その後の転送曲線は安定した。この結果から、Ga2O3(010)基板上のFinFETは、高品質な半導体/誘電体インターフェースを持ち、高い電気的性能と安定性を実現しており、今後の高電力電子アプリケーションにおける有望な技術であることが示唆されている。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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