半導体用語集
（Ba, Sr）TiO₃膜
英語表記：（Ba, Sr）TiO₃ film
Ta₂O₅よりさらに比誘電率が高く、かつ常誘電体でDRAMへの応用が期待されている材料としてチタン酸ストロンチウム（SrTiO₃: STO）やチタン酸バリウムストロンチウム（BaxSr₁₋xTiO₃: BST）がある。これらはペロブスカイト構造を有する結晶である。BSTはSTOとチタン酸バリウム（BaTiO₃: BTO）の複合酸化物である。バルク値ではSTOが ε=300、BTOが ε=1,200とBTOの方が高いが、BTOは130℃付近にキュリー温度を持つため、常温では強誘電体となりキュリー温度付近での誘電率温度特性が悪くなる。STOはキュリー温度が極低温で、常温では常誘電体となる。BTOとSTOを複合化しBSTにすると配合比によりキュリー温度が変化する。薄膜ではバルク値ほど大きな比誘電率をえることは難しいが、teq＝約0.5nmを達成しており、256M DRAM程度まではプレーナキャパシタで対応可能である。欠点としてはリーク電流が10⁻⁷A/cm²と大きく、1桁以上の改善が望まれる。
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