半導体用語集
Double Patterning(2)
英語表記:Double Patterning
微細でないパターンでレジストを露光し、CVDとエッチングでサイドウォールを作成して、Half pitchを実現するのがサイドウォール法である。第1パターンを作成し、全面CVDを行い、続いて全面エッチングすると、パターンの側壁部分に雪の吹きだまりのようにCVD膜が残る。その雪の吹き溜まりを利用すると1/2ピッチ・パターンとなる。Double Patterningを2度繰り返して、40nmのパターンから、1/4の10nmを得ることもできる。
関連製品
「Double Patterning(2)」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「Double Patterning(2)」に関連する用語が存在しません。
「Double Patterning(2)」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。