半導体用語集
イオンビームプロセス
英語表記：ion beam process
イオンビームを用いたエッチング，イオン注入，薄膜堆積などをイオンビームプロセスと呼ぶ。薄膜堆積では，イオンエネルギー100eV以下の低エネルギーイオンビームを直接基板に堆積させるイオンビーム蒸着，通常の真空蒸着にイオンビーム照射を併用したイオンビームミキシング蒸着，イオンビーム照射により基板上の吸着ガス分子を分解，重合させるイオンビーム支援デポジション法，原子数が1,000以上のクラスタイオンビームを使う方法などがある。エッチングでは，イオンビームスパッタリングや，フッ素や塩素などのハロゲン系の分子のイオンビームを照射し化学的反応を活用する反応性イオンビームエッチング，あるいは反応性ガス雰囲気中でイオンビームを照射するイオンビーム支援エッチングなどの手法が開発されている。イオン注入では，半導体への不純物注入が大きな利用分野であるが，この他にも金属材料の耐磨耗性，耐腐食性向上や，人工骨などの生体適合材料のための表面処理，窒化物などの高融点材料の合成など，様々な材料作製に利用されている。また，イオンビームプロセスでは，シャワー上のイオンビームを照射する場合と，1μm以下に集束したイオンビームを用いる方法があり，後者は，マスクレスイオンビームプロセスとも呼ばれる。
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