半導体用語集
イオンミキシング
英語表記：ion mixing
サリサイドプロセスにおいて、シリサイド化を行う熱処理を施す前に、金属膜上より金属/シリコン界面付近にイオン注入を行う技術。金属/シリコン界面に存在するシリコン酸化膜の層は、シリサイド化反応を阻害するため、シリサイド層の均ーに形成されにくくなる。イオン注入を行うことで、自然酸化膜の層がミキシングされるため、シリサイド反応が阻害されることなく均ーなシリサイド層が形成できる。均ーなシリサイド層が形成されることで、接合リーク電流が低滅できた例が報告されている。一般にイオン注入種は反応種であるシリコンが用いられことが多い。イオンミキシングの技術は、コバルトのような、シリコン酸化膜を還元する作用のない金属を使用するサリサイドの際に特に有効である。
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