半導体用語集
エリプソメトリ膜厚測定
英語表記：elipsometry thickness measurement
シリコンウェーハなどの表面に作製した薄膜の膜厚を測定するために用いられる手法。直線偏光の光をウェーハ表面で反射させると楕円偏光となる。この時の偏光角の変化は表面の薄膜の膜厚、屈折率に依存する。そこで、偏光角を測定し、屈折率で補正を行うと膜厚を求めることができる。光源にはコヒーレンシーの良いレーザ光が用いられる。
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