半導体用語集
エレベーテッド・ソース・ドレイン
英語表記：Elevated Souece Drain
エレベーテッド・ソース・ドレイン（S/D）はMOSトランジスタのソース・ドレインの抵抗を低減するためにより厚くした構造を指す。側壁に密着した構造ではゲートｰドレイン間容量増大につながるため、側壁側の形状に注意が必要である。特に、SOIトランジスタではSi厚が不十分でシリサイドを形成することもできないため、この構造が不可欠となる。また、FinFETの場合もソース・ドレインの領域のみSi Finを太らせる。この構造はレイズド（Raised）ソース・ドレインと呼ばれることもある。
関連製品
「エレベーテッド・ソース・ドレイン」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「エレベーテッド・ソース・ドレイン」に関連する用語が存在しません。
「エレベーテッド・ソース・ドレイン」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
