半導体用語集
ゲート・スタック
英語表記：Gate Stack
MOSトランジスタは、薄い絶縁膜の上にゲート電極を載せた構造であり、これをゲート・スタックと呼んでいる。MOSの微細化が進むと、従来の設計ルールでは対応できない問題が数多く出てきた。例えば、SiO2絶縁膜ではトンネル電流の増加が避けられず、高誘電率膜（High-k）が必要になり、ゲート電極は空乏層の発生を避けるためとHigh-k膜との相性から金属化が求められる。両者を総称してHK／MG（High-k／Metal Gate）と言っている。
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