半導体用語集
コンタクト高抵抗化要因
英語表記：high contact resistance Issues
コンタクト抵抗を決める要素として、Si/金属界面におけるバリアハイト、Si基板の濃度、コンタクトホール開口時のReactive Ion Etching (RIE)によるコンタクト底部のダメージの影響、それらのダメージ除去およびコンタクト開口時に形成されたデポ物の除去方法による影響がある。また、Alスパッタ成膜によるコンタクト形成では、アロイ時のAlスパイクを抑制するため、Al中にSiを含有させたAトSi合金を用いるが,アロイ後に発生するAl-Si配線のSiノジュールによる抵抗への影響もある。
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