半導体用語集
ナローギャップ型RIE装置
英語表記：narrow gap reactive ion etching system
電極間が狭い（5～10mm程度）平行平板型反応性イオンエッチング装置。比較的高圧領域でガス放電し、高イオン電流が得られ、シリコン酸化膜等のエッチングに多く用いられる。
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