ハイドライドVPE（hydride VPE） | 半導体用語集 |半導体/MEMS/ディスプレイのWEBEXHIBITION（WEB展示会）による製品・サービスのマッチングサービス SEMI-NET（セミネット）

半導体用語集

ハイドライドVPE

英語表記：hydride VPE

　気相成長法の一つで、原料ガスに水素化物（ハイドライド）を用いる気相エピタキシー（VPE: Vapor Phase Epitaxy）である。GaAsなどのⅢ-Ⅴ族結晶の成長によく用いられている。
　GaAsのハイドライドVPEを例に述べる。GaAsの塩化物気相成長法では、Ga原料としてGaClを用いるが、ハイドライドVPEでは、GaClを反応管上流部に設置した金属Ga（通常石英ボートと呼ばれる石英製容器に入れられている）と塩化水素の反応によって発生させる。一方、ヒ素原料としてハイドライドガスAsH₃を用い、これを反応管の中で熱分解して基板結晶に供給する。この時の反応は以下のように表わされる。
　　Ga(l)+ HCl(g)→GaCl(g)+ 1/2 H₂(g)
　　 AsH₃(g)→ 1/4 As₄+ 3/2 H₂
　この方法では、原料GaなどⅢ族原料金属へのヒ素など、Ⅴ族原料を飽和させる必要はない。
　ハイドライドVPEの特徴は、クロライドVPEと異なり気相におけるGaモル濃度と、Asモル濃度を反応管に輸送するHCl流量（濃度）と AsH₃流量（濃度）を変えることにより、任意に制御することができる点である。クロライドVPEの場合にはAsCl₃とGaとの反応により、GaClを発生させるためにGa、Asモル濃度を独立に制御することは原理上不可能である。この長所は、成長結晶がGaAsP、InGaAsPというように多元混晶の場合、組成の制御に威力を発揮する。