半導体用語集
プラズマアニール
英語表記：plasma anneal
固体表面近傍にドーピングした不純物はイオンや電子などでもアニールすることができる。イオンも電子も固体表面と相互作用して熱的に格子位置を変化させたり、固体構成原子の振動モードに影響を与えて格子位置に変化をもたらしたりする。プラズマにはこの両方が含まれているため、一部の報告であるが、不純物が活性化したり、拡散したりする現象が報告されている。イオンだけを用い、時には特に非弾性衝突が顕著な高エネルギー状態で明確な拡散誘起現象が確認されているが、半導体製造にはあまり関係ない。アニールとは直接関係ないが、最近MOSのチャネル部分に電子を照射することによってホウ素のプロファイルに変化を与え、リバースショートチャネル効果を抑制する報告がなされている。
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