半導体用語集
プロジェクテッドレンジ(投影)
英語表記：Projected Range:Rp
注入されたイオンは基板中で減速して停止する。停止したイオンの深さ分布の最高濃度の深さを投影飛程：Rp（Projected Range）と呼ぶ。イオンの減速過程は、原子核との衝突確立と電子量による原則効果を基にした統計的計算により求める（LSS理論）、上記減速効果を取り入れたモンテカルロシミュレーションを行う、あるいは、ボルツマン輸送方程式を用いて計算する等の方法がある。LSS理論では、上記Rpと、停止イオンの深さ方向分布の広がり：△Rp（2次分散、σ）によるガラス分布を用いて近似的に注入イオンの分布を予測する。
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