半導体用語集
リセスロコス
英語表記：recessed LOCOS
素子分離法の一つであり、LOCOS法に改良を加えたものである。その特徴はマスク窒化膜／パッド酸化膜をドライエッチング後、わずかにシリコン基板をエッチングし、後退（リセス）させてからフィールド酸化を行う点にある。通常のLOCOSでは酸化による体積膨張のためフィールド酸化膜の断面形状は基板から上方に大きく盛り上がる形状になるが、リセスロコスでは基板をリセスしてからフィールド酸化を行うため、基板上方への盛り上がりが小さくなり平坦性が向上する。そのため、ゲート工程のリソグラフィおよびエッチングが比較的容易になるという利点がある。また、通常のLOCOS法よりもリセスエッチングした分、酸化が基板下方に深く進行するため、実効的な素子分離間隔が長くなり、素子分離特性も向上する。
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