半導体用語集
レーザアブレーション法
英語表記：pulse laser deposition
PLD (Pulse Laser Deposition）法とも呼ばれる。ターゲットに高密度化したレーザパルスを入射することによりイオンを放出させ、対向の基板上に堆積させて薄膜を形成する方法である。特徴としては、ターゲット材料を選ばないことやターゲットと膜の組成ずれが少ないことなどがあげられる。しかし、成膜領域が小さいため大面責基板に成膜するには、レーザ源を増やしたりビームや基板を走査するなどの工夫が必要で、成膜速度を確保しつつ大口径化に対応していくことが課題となる。
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