半導体用語集
成膜方法
英語表記：film depojition method
強誘電体、高誘電率材料は主に酸化物であるため、成膜方法としては通常 LSIプロセスで用いられているSiO₂成膜法の大部分が使用できる。成膜の原理により物理的成膜法と化学的成膜法、成長状態により気相や液相に分類される。物理気相堆積法（PVD）としてよく用いられるのは真空蒸着法、スパッタリング法、レーザアブレーション法などで、化学気相堆積法（CVD）ではMOCVD法がよく用いられる。また、液相堆積法（CSD）としてゾル･ゲル法やMOD（Metal Organic Decomposition）法がよく用いられている。その他、水熱法や ALE法などでの成膜例もある。LSIデバイス応用として現在有力な成膜法としては、ゾル･ゲル法とスパッタリング法である。ゾル･ゲル法はスピンコーテイグ法を用い、面内均一性（大ロ径化）･組成安定性に非常に優れている。原料の安定性も向上し、プロセス再現性にも優れている。スパッタリング法は組成安定性やプロセス再現性に難があったが、最近では特性向上がみられている。しかし、立体構造キャパシタには適応が難しく、将来的にはMOCVDのような段差被覆性に優れた成膜法が本命視されている。
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