半導体用語集

層間絶縁膜

英語表記:inter-layer dielectrics

LSIの多層配線における配線同士を絶縁する膜をいい、無機材料としてシリコン酸化膜(Si02)、シリコン窒化膜(Si3N4)、PSG (Phospho Silicate Glass)膜、BPSG (Boron Phospho Silicate Glass)膜、SOG (Spin On Glass) 膜があり、有機材料として、ポリイミドをはじめとする各種ポリマーがある。成膜方法としてはプラズマCVD法、塗布法がある。代表的な塗布法としてSOG (Spin On Glass) と呼ばれるシリコン酸化膜系ガラスがあり、溶剤に溶かしたシラノールを高速回転するウェハ上に滴下し、溶剤を揮発させながら一定膜厚に塗布した後、焼き締めてガラスにする。プラズマ CVD法はシラン(SiH4)原料あるいはTEOS(Tetra-Ethyl-Orso-Silicate)原料に酸素あるいはオゾンを反応させてシリコン酸化膜を形成する。層間絶縁膜は比誘電率が4以上あり、配線と配線の間の容量を発生することから高速信号の遅延やクロストークによる誤動作を防ぐため低誘電率化(く3)の検討が行われている。



関連製品

新電解技術による層間絶縁膜上へのRu 結晶核の形成

グローバルネット株式会社

KMP研究所、岩津 春生

自治体・省庁・研究機関・団体 › 応用物理学会


会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。