半導体用語集
Porous Law-k膜
英語表記：
誘電率をkで表すので、低誘電率膜のことをLow-k膜と呼んでいる。配線の信号遅延は、抵抗Rと容量Cの積CRに比例するが、配線の微細化が進むと、CもRも大きくなる。Cを下げるためには、層間絶縁膜の誘電率を下げる必要があり、SiO2（k=4）SiOF（k=3.7）、SiOC（k=3）と、徐々にｋ値の低い膜が採用されてきたが、誘電率が1の真空が最良であり、それに近づけるため、気泡を混入したPorous Low-k膜が検討されている。誘電率は下がるが、スポンジのような柔らかい膜なので、CMPやWire Bondingなどの圧力が掛かる工程が問題となり、生産への導入には必ずしもスムーズではない。
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