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新電解技術による層間絶縁膜上へのRu 結晶核の形成

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

KMP研究所、岩津 春生

Ru配線

基本情報

 微細配線工程において、従来はバリアやシード膜を使用して電解めっきで配線材を埋め込んでいが、最近では高抵抗のバリア膜が不要なCoやRuなどの新しい配線材料が検討されている。新しい電解技術により、バリア膜を使わずに下層配線からのボトムアップ成膜が可能になった。この研究では、Low-K絶縁膜上に直接Ru結晶核を形成し、Viaがない配線溝でも成膜ができることを実証した。結晶核はSiCOH絶縁膜上に高密度で形成され、配線抵抗を小さくするためには大粒径の単結晶核が重要である。今後は、Viaと配線溝核の成長バランスを取り、埋め込みと平坦化を実現すること、および薬液の最適化を目指している。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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