半導体用語集
表面プロセス
英語表記：surface process
半導体と絶縁膜との接合は、半導体デバイスおよびそのプロセス技術においてきわめて重要な位置を占める。すなわち、FET（FieldEffectTransis-tor）のゲート絶縁膜形成、半導体の表面不活性化、熱処理プロセスや選択イオン注入における表面保護膜形成、多層配線の層間絶縁膜形成などを目的として半導体・絶縁膜の接合が広く利用されている。特にシリコン素子にとっての酸化膜は、プレーナー技術によるデバイスの発展を導き、今日の半導体産業をもたらせた点で特筆すべきである。
半導体・絶縁膜の接合形成方法を大別すると、半導体表面を酸化して半導体・絶縁膜接合をえる酸化法と、半導体表面に酸化物や窒化物などの絶縁物を堆積または成長させて半導体・絶縁膜接合をえる堆積法、半導体と絶縁膜を直接接合させる張り合わせ法などに分けられる。シリコンと異なり化合物半導体では、半導体・絶縁膜の接合形成に高温プロセスを適用すると、半導体表面が分解による熱変成を起こすものが多い。このため、化合物半導体・絶縁膜接合を形成するプロセスではプロセスの低温化、短時間化および雰囲気制御が重要な点となる。
種々の絶縁膜形成工程および半導体表面の不活性化や汚染防止を目的とした表面処理工程を総称して表面プロセスと呼び、ここで用いられる主要な技術をまとめる。
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