半導体用語集
低誘電率層間絶縁膜 low-ｋ
英語表記：diamonnd CVD
SiO2膜（誘電率ｋ=4.1）よりも誘電率の低い材料を使用して生成した層間絶縁膜。配線材料に電気抵抗の低いCuと層間絶縁膜に誘電率の低いlow-k膜を組合わせた多層配線とすることで配線遅延を低減し、LSIの高速化を図る。low-k膜を生成する材料としては、無機材料、有機材料、多孔質材料に分けられる。
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