半導体用語集
分子線エピタキシャル成長装置
英語表記：molecular beam epitaxial growth system
成長させるべき材料を10⁻⁸~10⁻⁹Paの超高真空中で分子ビーム状にして対向するウェーハ上に単結晶層を成長させる装置。不純物、結晶欠陥の極めて少ない薄膜を低温で作製できる特徴を持つ。成膜中その場で組成分析あるいは結晶性を観察する付属機能が設けられるのが通常である。
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