半導体用語集
反応性スパッタリング堆積
英語表記：reactive sputtering deposition
スパッタリング法で薄膜を堆積させる場合、純金属を堆積させる場合は、典型的な例では、金属ターゲットを利用し、放電ガスとして不活性ガスのArが利用する。たとえば、TiNやTiO₂など金属化合物をスパッタ堆積する場合、ターゲットにTiNやTiO₂を利用し、Arを放電ガスを用いると、堆積した薄膜の組成は化学量論組成からずれてしまう。一般に蒸気圧の赤い成分である窒素や酸素が欠乏してしまう。また、長時間のスパッタによって、ターゲットの組成も変化してしまう。そこで、放電ガス中に反応性のガスを添加して蒸気圧の高い成分を補う。あるいは、ターゲットにはTiなどの純金属を利用して、反応性ガスを含んだプラズマを発生させて堆積させる。このような方法を総称して「反応性スパッタリング堆積」という。
反応性スパッタリング法は、酸化物、窒化物、炭化物、硫化物の堆積の際に利用される。SiO₂、TiO₂、SnO₂などの酸化物の場合、添加ガスとしてO₂が利用される。LSI配線工程で多く利用されるTiNなどの窒化物を堆積させる場合、N₂やNH₃のガスが添加される。TiCなどの炭化物の場合は、CH₄やC₂H₂などが利用される。
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