半導体用語集
収束イオンビーム法 FIB
英語表記：focused ion beam
Gaイオンビームを収束し、走査型電子顕微鏡（SEM）と同様なシステムで、半導体表面の観察や局所加工をする手法。特に、局所領域のみをスパッタしその側壁を露出させることで、特定箇所の断面観察が可能であり、プロセス評価や故障解析に多用されている。
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