半導体用語集
水素プラズマ曝露
英語表記：hydrogen plasma exposure
水素に高周波、マイクロ波を印加してこれをプラズマ化して、この時生成される水素原子をダウンフロー領域に置かれた被洗浄ウェハに供給する。あるいはアルゴンやヘリウムなどの不活性ガスを、プラズマ化した時に生じるアフタグロー中に水素を添加して水素 原子を生成する場合もある。ウェハ表面に成長している自然酸化膜は水素原子により還元除去される。この時有機 不純物も同様にして除去され、またウェハ温度を400℃とした時に効果的に除去される。自然酸化膜が除去された後のシリコン表面は水素で終端されているが、強い還元性のためオーバエッチングを行うと、シリコン基板もエッチングされたり、シリコン基板中に水素が侵入、拡散してしまう。
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