半導体用語集
潜傷
英語表記：blind scratch
潜傷は文字どおり通常の外観検査では発見できない傷で、加工時のダメージなどにより生成した破砕層などが十分に除去されていない場合などに認められるものである。現在の量産製品のシリコンウェハでこういったものがみられることはほとんどないが、潜傷は通常の外観検査では検出されず、選択エッチング性のある薬液による処理などによって現像されて検出できるようになる。こういった傷は、ウェハの表面直下に加工歪を伴って存在するために、何らかの過程で傷として現像されてしま う場合以外でも LSI製造工程での熱処理によりOSFなどの結晶欠陥を誘 起しLSI製品の歩留りや動作特性を損なってしまう。また、潜傷はそれが入った加工工程での汚染を噛み込んでいる可能性が高いことに加え、それ以 降の工程での汚染がより深く拡散侵入する通路として働く可能性があることも問題である。 このような理由から、シリコンウェハの加工では、原則として後の工程ほど加工ダメージの残りにくいプロセスを用い、工程が進むつどに前工程の加 工ダメージ層を完全に除去するような 加工取りしろ設計を行い、ポリッシン グ直前のエッチング工程までで一度完全に潜傷、すなわち加工ダメージ層を 除去してしまう。この後、機械研磨過程で生じる加工ダメージ領域を同時に化学作用で除去するケミメカニカルプロセスを用いて潜傷が入らないようにウェハ表面を仕上げるのである。
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