半導体用語集
禁制帯幅のエネルギー
英語表記：bandgap energy
自由電子の存在する伝導体の下端と正孔の存在する価電子帯の上端の間のエネルギー差をいう。室温では、SitとGaAsの禁制帯幅のエネルギーはそれぞれ1.12eV、1.42eVである。一般的に、これらより小さい値を有する半導体をナローギャップ半導体、大きな値を有する半導体をワイドギャップ半導体という。
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