半導体用語集
裏面デポ抑制
英語表記：exclusing backside deposition
ウエーハ裏面への成膜を防止する構造及びその方法。メタルCVD等で反応ガスがウエーハ裏面に廻り込んで不完全な成膜が行われ、剥離によりパーティクルを発生させることがあるために用いられる。
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