半導体用語集
露光後ベーク PEB 定在波除去ベーク
英語表記：post-exposure-bake
露光に引き続いて行われるベーキング処理で、化学増幅型レジストの露光後の触媒反応促進に用いられる。現像均一性に大きく寄与するための熱量管理が必要で、面内温度均一性を向上させている。ベーキング処理を速やかに終了させるためにクーリングプレートを併設させているものもある。定在波効果によるレジストパターン（レジスト側壁形状）の変形を軽減するためにのも用いられる。
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