半導体用語集

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半導体用語集

ECRプラズマCVD

英語表記:Electron Cyclotron Resonance plasma CVD

電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance: ECR)プラズマによる化学気相蒸着(Chemical Vapor Deposition: CVD)をいう。
電子のサイクロトロン周波数は、
  ωc=ⅠqⅠB/m
で表わされる。 ここで、qは電荷 (クーロン)、Bは磁束密度(テスラ) 、mは電子の質量(kg)である。磁場 100ガウスの中に存在する電子のサイクロトロン周波数は
  ωc = 1.602X10ー1910ー2/ 9.11× 10ー31= 1.76X109 s-1 となる。
ECRプラズマCVDでは商用的なマイクロ波源( 2.45 GHz)が用いられている。電子のサイクロトロン周波数とマイクロ波の周波数が一致する ECR磁場は875ガウスである。したがって、この磁場が印加されているところにマイクロ波を導入すると、ECRプラズマが形成される。ECRプラズマの特徴は、0.1 Paの圧力領域でも1018m-3の高密度プラズマがえられることである。電磁波で励起するので非常に効率が良く、高い電子温度が得られる。このため、導入したガスが効率よく分類される。応用としては、アモルファスシリコン、SiO2ポリシリコンなどの成膜に用いられている。