半導体用語集
ECRプラズマCVD
英語表記：Electron Cyclotron Resonance plasma CVD
電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance : ECR）プラズマによる化学気相蒸着（Chemical Vapor Deposition : CVD）をいう。
電子のサイクロトロン周波数は、
ωc = |q| B/m
で表わされる。ここで、qは電荷（クーロン）、Bは磁束密度（テスラ）、mは電子の質量（kg）である。磁場100ガウスの中に存在する電子のサイクロトロン周波数は
ωc = 1.602×10⁻¹⁹ 10⁻² /9.11×10⁻³¹
= 1.76×10⁹ s⁻¹
となる。
ECRプラズマCVDでは商用的なマイクロ波源（2.45 GHz）が用いられている。電子のサイクロトロン周波数とマイクロ波の周波数が一致するECR磁場は875ガウスである。したがって、この磁場が印加されているところにマイクロ波を導入すると、ECRプラズマが形成される。
ECRプラズマの特徴は、0.1Paの圧力領域でも10¹⁸m⁻³の高密度プラズマがえられることである。電磁波で励起するので非常に効率が良く、高い電子温度が得られる。このため、導入したガスが効率よく分類される。
応用としては、アモルファスシリコン、SiO₂、ポリシリコンなどの成膜に用いられている。
関連製品
「ECRプラズマCVD」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「ECRプラズマCVD」に関連する用語が存在しません。
「ECRプラズマCVD」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
