半導体用語集
EUV露光リソグラフィ
英語表記：Extremly Ultra Violet Lithography
光源は、レーザー光を錫のDropletに照射して発生する波長13.5nmのEUV光。レンズは全て反射系で、ミラーの数は10枚以上になり、反射する毎に30％以上の光量が落ちるので、光源からのエネルギのわずか1-2％がウエハに届くことになる。光源の輝度が十分得られれば実用的な露光装置が完成すると考えられるが、１台100億円とも言われている。
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