半導体用語集
FDｰSOI（完全空乏型SOI）
英語表記：Fully Depleted Silicon on Insulator
20nm以下の厚さのSOI基板を用いてMOSトランジスタを作ることにより、SOI厚方向の全領域が空乏化するようにしたトランジスタ。SOI膜厚を変えたり、ゲートの金属種を選ぶことにより、Vthを制御する。チャンネルの不純物を添加する必要が無いため、短チャネル効果抑制のためのチャネル不純物の高濃度化を避けることができる、これにより、移動度を確保して20nm以下のゲート長のトランジスタを短チャネル効果をもたらすことなく作製するこできる。FinFETに比べて作製が容易であるという特徴があり、STMicroelectronics社ではこの構造のLSIを量産している。
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