半導体用語集
HPM洗浄
英語表記：hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture cleaning
1970年にRCA社が提唱した、半導体デバイス製造プロセスにおける基板洗浄法の一つであり、SC－2洗浄とも呼ぶ。塩酸と過酸化水素水と純水が1：1～2：5～7の容積配合比で組成された洗浄液で温度：約80℃、時間：10～20分の浸漬処理にて基板を洗浄する。金属不純物除去に効果がある。
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