半導体用語集
TEOS-O₃ CVD
英語表記：TEOS-O3 atmospheric pressure CVD
反応源として、液体ソースであるTEOS*と酸化剤としてO₃を用いてSiO₂膜を形成する常圧CVD法。優れたステップカバレージを持っていることと、高スループットが特徴である。ドーピング材として、B、Pが用いられることがある。
＊tetra ethyl ortho silicate, Si(OCH₂CH₃)₄
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