半導体用語集
γ値
英語表記：gamma value
レジストまたはレジストプロセス評価の一つの方法として、現像後のレジスト膜厚を露光量の関数として測定する方法がある。そのレジスト特性において、ポジ型レジストの場合、レジスト残膜厚がゼロになる露光量(しきい値露光量: Eth)付近におけるレジスト膜厚変化の急畯さを表現する値がγ 値と呼ばれるものである。具体的には、上記レジスト特性(露光量を対数スケールとする片対数グラフ)におけるしきい値露光量付近(線形領域)での接線の傾きとして次式で定義される。
Γ=ーdT(E)/ d(log E ) IE≒Eth =ー{T(E1)ーT(E2)}/ (log E1ーlog E2 )
T (E): 露光量Eの時のレジスト膜厚
γ値は通常のノボラック系ポジ型フォトレジストの場合1.3～2.0程度であり、DeepUV光用に用いられている化学増幅型レジストの方が通常大きい。γ値は大きいほど現像速度の露光量に対する感度が鋭敏である(コントラストが高い)ことを意味し、露光コントラストの低い徴細なパターン形成時に有利となる。また、γ値はレジスト下層の光学的条件によっても大きく変化し、一般的には、ある程度高反射基板を用いた方がγ値としては大きくなる。つまり、レジスト評価の一つの手法として有用ではあるが、プロセス条件などを統一して比較評価することが必要である。
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