半導体用語集
イオン注入 イオン打込み
英語表記：ion implantation
加速されたイオンを半導体基板等に打込む方法。通常シリコン基板に対しB、P、Asなどのイオンが導入不純物として用いられる。制御性と再現性に優れ、従来の熱拡散法に代わり半導体基板への不純物導入法として広く用いられるようになった。
関連製品
「イオン注入 イオン打込み」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「イオン注入 イオン打込み」に関連する用語が存在しません。
「イオン注入 イオン打込み」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
