半導体用語集
イメージリバーサルプロセス
英語表記：Image reversal process
イメージリバーサル法とは、通常のポジ型レジストプロセスによりえられるパターン像とは逆 (ポジネガ画像反転)の像をえるための手法である。代表的な方法を述べる。通常のポジレジストを用いる場合は、 (1)高UV照射によりパターン転写露光を行い、(2)アミン系化合物 (アンモ=アなど)を熱拡散させる。(3)ウェハ全面を露光し、(4)通常のアルカリ現像を行うというプロセスである。また、AZ5200 (へキスト社製)という特殊なレジストを用いた場合は、上述(2)におけるアミン系化合物の拡散工程を熱処理のみの工程とすることができる。第一の方法は、最初の露光時に発生するカルボン酸が熱とアミン系触媒により反応して不溶化し、第二の方法では、露光時に特殊な感光剤から発生する酸が、熱処理により樹脂を架橋するため不溶化する。 その後の全面露光により最初の未露光部がアルカリ可溶部となり、 ネガ型レジスト プロセスとなる。 以上が,イメージリバーサルプロセスの概略である。半導体素子やその集積回路の種々なパターンの中にはポジ型よりもネガ型の方がパターン形成しやすい場合もあるため、高解像度なi線ネガ型レジストプロセスとして有望となり注目を集め た。その後、DeepUV (KrF)露光用としては通常プロセスによるネガ型レジストも開発され、イメージリバーサルプロセスはあまり使用されていないのが現状である。
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