半導体用語集
エックス線光電子分光法
英語表記：X-ray Photoelectron Spectroscopy
固体表面にAlkαやMgkαなどのＸ線を照射し、光電効果によって放出される光電子の運動エネルギーを測定することにより、固体表面層の元素および化合物を分析する手法。光電子の脱出深さは高々3nm程度であり極表面の情報が得られる。光電子の運動エネルギーは元素固有の値をもつので元素分析がなされるが、さらに化学結合状態による変化（化学シフト）を利用して状態分析が可能であり、これが当手法の特徴である。また、Arイオンビームで表面から原子を削り取りながら（スパッタエッチ）測定することによって、深さ方向の分析がなされる。分析領域は通常1mmф前後であるが、微小領域用では数10μｍфが可能である。分析可能元素はLi～U、検出下限は約1at％である。分析対象は半導体、金属、ポリマー、セラミックスとあらゆる材料に及び、半導体分野では表面の有機汚染物の同定、薄膜の構造解析などに用いられている。
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