半導体用語集
エピタキシャル層欠陥
英語表記：epitaxial defect
エピタキシャル層は基板上に気相より単結晶を成長させるため、微小酸素析出物、COPなどが存在せず、結品性は良好である。反面、気相成長で単結晶を成長させるため、が内などからのパーティクルが成長前や成長中に基板に付着するとLPD、マウンド、ヒ ロック、ピラミッド、積層欠陥などの表面欠陥が誘起される。LPD (Light Point Defect)とは、集光ランプでエビタキシャルウェハ表面を観察した時に輝点状にみえる欠陥の総称である。凸状のマウンド類、四 状のピット、積層欠陥、パーティクルなどである。マウンド(mound)は、パーティクルなどの異物を中心に突起状に異常 成長した表面欠陥であり、反応炉内壁から剥がれたSi粒子や、気相反応で生成したSi粒子が、基板表面に付着し、これが核となり異常成長したものである。突起の周りにはネッキング状 のへこみがある。マウンドの大きさは数100km に達するものもあり、デバイス不良原因となる他、コンタクト露光の場合、基板に接触したマスクを傷つけたり、マスクの密着性が悪くなる。これらが起こらないように、エピタキシャル後に「マウンドクラッシ ャ」という装置でマウンドをつぶすこともある。 ヒロック(hillock、成長突起)は、エピタキシャル成長層に存在する突起 状欠陥であり、(111)面に存在する時は三角形状になる。この欠陥は、三つの{111}面に近い結品面に囲まれており、
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