半導体用語集
エンハンスメント型トランジスタ
英語表記：enhancement-type transistor
電界効果型トランジスタにおいて、ゲート・ソース間に何も電圧を加えない状態でドレイン電流が流れないタイプのトランジスタ。ノーマリオフ型トランジスタと呼ぶ。またエンハンスメントの頭文字をとって、Eモードトランジスタとも呼ぶ。逆にドレイン電流が流れるトランジスタをデプレーション型、ノーマリオン型、Dモードトランジスタと呼ぶ。エンハンスメント型はデプレーション型にくらべて、チャネル層のドナー密度が低いか、あるいは厚さが薄く作られている。デジタル用途として、デプレーション型FETと組み合わせたDCFL回路（Direct Coupled FET Logic）が、低消費電カ型GaAsICの論理ゲートとして適用されている。アナログ応用では、パワーアンプ用FETとして、この種のトランジスタが組み込まれている。このFETの適用は、デプレーション型で必要だったドレイン電流を0に落とすためのスイッチや、負の電源を作るためのDC/DCコンバータが不要になり、低コスト化のメリットが大きい。 E-モードパワーFETは900MHz帯域の電話に実用化されている。
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