半導体用語集
ガスソースMBE
英語表記：gas source MBE
当初、固体蒸発用セルにTa、Wなどの金属板を入れ、PBNのそこに孔を開けてガスを導入できるようにしたガスソースMBE用セルが用いられた。セルに入れた金属板にガスが多数回衝突するので導入ガスが分解され、付着確率が増す。Ⅲ族元素用にはTMA（Tri-Methyl Aluminum）、TMG（Tri-Methyl Gallium）、TEA（Tri-Ethyl Aluminum）、TEG（Tri-Ethyl Gallium）などが、Ⅴ族元素用にはAsH₃、PH₃が用いられる。セルの温度はⅢ族元素用のガスに対しては700～800℃、Ⅴ族元素用のガスに対しては1,000℃である。高温セルを通さないで金属パイプを真空室に通して成膜ガスを直接導入することも行われている。
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